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為了觀察燒結(jié)成品晶粒生長(zhǎng)情況，氣孔率，致密性等，分析元素的摻雜等對(duì)成品性能的影響，對(duì)制得的ZnO陶瓷成品斷口進(jìn)行觀測(cè)。樣品1與樣品2相比較小且大小不等、雜亂無(wú)章，即存在8um左右的大晶粒也存在很多1um以下的小晶粒，其中以小尺寸晶粒居多；(2)晶粒形貌呈現(xiàn)多樣性生長(zhǎng)趨勢(shì)。(3)ZnO主晶相之間存在較多存在孔洞、縫隙。由2中可以看出：(1)ZnO平均晶粒尺寸為10

～15um，且小尺寸晶粒數(shù)量大量減少，尺寸生長(zhǎng)比較均勻；(2)晶粒形貌大多呈現(xiàn)正多邊形或圓形生長(zhǎng)趨勢(shì)、晶粒生長(zhǎng)堆積緊密；總之，摻雜TiO2的樣品與未摻雜TiO2的樣品相比從顯微結(jié)構(gòu)上看晶粒形貌規(guī)整，結(jié)構(gòu)均勻、致密，晶粒較大。樣品3.ZnO主晶相之問存在較多存在孔洞、縫隙；圖晶界出現(xiàn)了大量液相熔融，且晶界較寬，而且晶粒邊緣有尖晶石相存在使晶粒長(zhǎng)大受限；相比較樣品2.晶粒尺寸又變的不均勻，出現(xiàn)極大和極小顆粒。總之，隨著TiO2的加入ZnO壓敏陶瓷的平均晶粒尺寸增大，但加入量過多時(shí)，ZnO壓敏陶瓷的電性能開始惡化。TiO2的摻雜會(huì)使氧化鋅壓敏陶瓷的平均晶粒明顯增大，但摻雜量過多時(shí)會(huì)產(chǎn)生大量Zn2Ti04尖晶石相阻礙晶粒進(jìn)一步長(zhǎng)大。

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預(yù)擊穿區(qū)：是指在此區(qū)域內(nèi)，施加于壓敏電阻器兩端的電壓小于其壓敏電壓，其導(dǎo)電屬于熱激發(fā)電子電導(dǎo)機(jī)理。因此，壓敏電阻器相當(dāng)于一個(gè)10MΩ以上的絕緣電阻，這時(shí)通過壓敏電阻器的阻性電流僅為微安級(jí)，可看作為開路。該區(qū)域是電路正常運(yùn)行時(shí)壓敏電阻器所處的狀態(tài)。

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